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RS6R035BHTB1  与  BSC520N15NS3 G  区别

型号 RS6R035BHTB1 BSC520N15NS3 G
唯样编号 A3-RS6R035BHTB1 A-BSC520N15NS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@35A,10V 52mΩ
RoHS compliant - yes
漏源极电压Vds 150V 150V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 73W -
Ciss - 670.0 pF
Rth - 2.2 K/W
Coss - 80.0pF
栅极电压Vgs ±20V 3V,2V,4V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SuperSO8
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 35A 21A
QG (typ @10V) - 8.7 nC
系列 - OptiMOS™
Ptot max - 57.0W
QG - 8.7nC
Ptot max - 57.0 W
IDpuls max - 84.0 A
Budgetary Price €€/1k - 0.4
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

暂无价格 100 当前型号
BSC520N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3GATMA1_21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V

暂无价格 0 对比
IRF7451 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 3.6A(Ta) ±30V 2.5W(Ta) 90mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
IRF7465 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 1.9A(Ta) ±30V 2.5W(Ta) 280mΩ@1.14A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
BSC520N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF7815 Infineon  数据手册 功率MOSFET

43mΩ 150V SO-8 N-Channel 20V 4.1A

暂无价格 0 对比

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